Esplora teamo gvidita de Prof.Huang XingyikajD-ro Shi KunmingdeŜanhaja Universitato Jiao Tongevoluigis aplurtavola termike kondukta kaj elektre izola bendo (MTCEIT). Ĉi tiu novigo ebligas CPU-temperaturredukton de ĝis9 gradoj, proponante novan solvon por varmo disipado en kompaktaj elektronikaj aparatoj.
La MTCEIT strukturas sandviĉojngrafena papero(alta termika konduktiveco kerno) interBNNS-plenigis PBCOEA-gluajn tavolojn, kombinita kun asilicona kaŭĉuko (SR) kunmetita apogiloplenigita persesangula boronitruro (h-BN)flokoj. Je dikeco de proksimume300 μm, la bendo atingas anen-ebena varmokondukteco de 121,22 W/m·K, a volumenorezistiveco de 5,07×10¹¹ Ω·cm, kaj aWeibull karakteriza paneoforto de 36,9 kV/mm.
En realaj-mondaj testoj, MTCEIT reduktis laCPU-temperaturo de maldikaj tekkomputiloj je 9 gradojkaj stabiligitafluktuo de la kadro de video ene de Malpli ol aŭ egala al 0,1 fpsen ultra-maldikaj saĝtelefonoj sen aktiva malvarmigo.
La studo, titolita"Grafenpapero-Bazitaj Plurtavolaj Termokonduktaj Bendoj kun Escepta Elektra Izolaĵo por Alta Varmoflua Dissipado,"estis publikigita enAltnivelaj Funkciaj Materialoj (AFM).
Figuro 1. Dezajno de la MTCEIT.
(a) Skema ilustraĵo de varmega disipadsistemo en kompaktaj elektronikaj aparatoj asimilantaj la MTCEIT.
(b) Surfactemperaturdistribuado de glubendoj kun malsamaj strukturoj sub ekvilibraj-kondiĉoj en finhava elementsimulado.
(c–e) Maksimuma ekvilibrotemperaturo de la varmofonto en la finhavelementaj simulaĵoj kiel funkcio de (c) la dikproporcio de ĉiu tavolo, (d) la en-ebeno (κ//) kaj tra{-ebeno (κ⊥) termika kondukteco de la gluaj tavoloj, kaj (e) la intervizaĝa termika rezisto-} tavolo same kiel inter la glua tavolo kaj la subtena tavolo.
Figuro 2. Strukturo kaj mekanikaj propraĵoj de la MTCEIT.
(a) Optikaj bildoj de la MTCEIT kaj komerca grafena papero.
(b) Trans-sekcaj kaj (c) intertavolaj kompaktaj kontaktaj SEM-bildoj de la MTCEIT.
(d) EDS-spektro kaj (e) XRD-padrono de la MTCEIT.
(f) fleksado kaj (g) formado de statoj de la MTCEIT.
(h) Tirstreĉo-trostreĉiĝkurbo de la MTCEIT.
Figuro 3. Termika kondukteco kaj elektra izolado de la MTCEIToj.
Figuro 4. Varmo disipado de maldika tekkomputilo.
(a) Optika bildo de la portebla bazplato. La grandeco de la MTCEIT estas 130 mm × 60 mm.
(b) Skema ilustraĵo de la simpligita CPU-varmodisipa sistemo.
(c) Infraruĝaj termikaj bildoj de la tekkomputilo.
(d) Temperaturvario kaj (e) CPU-temperaturo je 1200 s. La enmetita en (d) montras la optikan bildon de la provita tekokomputilo.
Ĉiuj provoj estis faritaj sub normalaj funkciaj kondiĉoj. La temperaturo estis mezurita per la enkonstruita-en CPU-sensilo kaj monitorita per AIDA64 Extreme-programaro.
Figuro 5. Varmo disipado de ultra-maldika inteligenta telefono sen aktiva malvarmigo.
